Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
IPP80R1K2P7XKSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
MFR Recommended
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPP80R1K2P7XKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPP80R1K2P7XKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPP80R1K2P7XKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 4,5A (Tc) 37W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPP80R1K2P7XKSA1 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1,2Ohm przy 1,7A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 80µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 300 pF @ 500 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 37W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Zapasy z platformy handlowej: 73 775 wyświetl teraz
Other Suppliers on DigiKey
73 775W magazynie
Wysyłający: Rochester Electronics, LLC
Produkt powiązanyZobacz wszystko
9 Pozycje
Polska