IPP80N04S4L04AKSA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IPP80N04S4L04AKSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 98

Cena jednostkowa : 5,23000 zł

Similar

Texas Instruments

W magazynie: 589

Cena jednostkowa : 9,19000 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 70

Cena jednostkowa : 11,27000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPP80N04S4L04AKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IPP80N04S4L04AKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP80N04S4L04AKSA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPP80N04S4L04AKSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,3mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4690 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	71W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3-1
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP80N04