IPP70N04S406AKSA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IPP70N04S406AKSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Rochester Electronics, LLC

W magazynie: 7 805

Cena jednostkowa : 8,56000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPP70N04S406AKSA1
Numer produktu DigiKey	IPP70N04S406AKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP70N04S406AKSA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 70A (Tc) 58W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPP70N04S406AKSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	70A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,5mOhm przy 70A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 26µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2550 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	58W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3-1
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP70N04