
IPP65R310CFDXKSA2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IPP65R310CFDXKSA2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPP65R310CFDXKSA2 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 15 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 11,4A (Tc) 104,2W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPP65R310CFDXKSA2 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 310mOhm przy 4,4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 400µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1100 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 104,2W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,43000 zł | 10,43 zł |
| 50 | 5,17460 zł | 258,73 zł |
| 100 | 4,66390 zł | 466,39 zł |
| 500 | 3,76900 zł | 1 884,50 zł |
| 1 000 | 3,48143 zł | 3 481,43 zł |
| 2 000 | 3,25786 zł | 6 515,72 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,43000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 12,82890 zł |











