Bezpośrednie
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IPP100N08N3GXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IPP100N08N3GXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPP100N08N3GXKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPP100N08N3GXKSA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 80 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 6V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 10mOhm przy 46A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 46µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2410 pF @ 40 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 100W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |













