IPP091N06N G Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPP091N06N G
Numer produktu DigiKey	IPP091N06NG-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP091N06N G
Opis	MOSFET N-CHAN TO-220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 80A (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Produkt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,1mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 130µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	81 nC @ 10 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2800 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP091N

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji.