Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
IPN80R750P7ATMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
MFR Recommended
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPN80R750P7ATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPN80R750P7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPN80R750P7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPN80R750P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPN80R750P7ATMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 7A (Tc) 7,2W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-SOT223 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPN80R750P7ATMA1 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 750mOhm przy 2,7A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 140µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 17 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 460 pF @ 500 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 7,2W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-SOT223 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Produkt powiązanyZobacz wszystko
9 Pozycje
Polska