Name: IPN70R1K4P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND
Price: 3.8745 PLN
Availability: InStock

IPN70R1K4P7SATMA1
Numer produktu DigiKey	IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPN70R1K4P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPN70R1K4P7SATMA1
Opis	MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 700 V 4A (Tc) 6,2W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-SOT223
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPN70R1K4P7SATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 700mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 40µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	158 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	6,2W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT223
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	IPN70R1

Cena jednostkowa bez VAT:	3,15000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,87450 zł

IPN70R1K4P7SATMA1