Name: IPN60R600P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R600P7SATMA1TR-ND
Price: 5.0307 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPN60R600P7SATMA1
Numer produktu DigiKey	IPN60R600P7SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPN60R600P7SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPN60R600P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPN60R600P7SATMA1
Opis	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-SOT223
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPN60R600P7SATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 80µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 9 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 363 pF @ 400 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 7W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-SOT223
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPN60R600
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 600mOhm przy 1,7A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)