Name: IPN60R3K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R3K4CEATMA1TR-ND
Price: 3.1857 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPN60R3K4CEATMA1
Numer produktu DigiKey	IPN60R3K4CEATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPN60R3K4CEATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPN60R3K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPN60R3K4CEATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 2,6A (Tc) 5W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-SOT223-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPN60R3K4CEATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 40µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 4.6 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™ CE	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 93 pF @ 100 V
Status części Nie do nowych projektów	Straty mocy (maks.) 5W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-SOT223-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,6A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPN60R3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,4Ohm przy 500mA, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 31 374

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)