Name: IPL65R130C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R130C7AUMA1TR-ND
Price: 22.8288 PLN
Availability: InStock

IPL65R130C7AUMA1
Numer produktu DigiKey	IPL65R130C7AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPL65R130C7AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPL65R130C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPL65R130C7AUMA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 15A (Tc) 102W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VSON-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPL65R130C7AUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ C7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	130mOhm przy 4,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 440µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1670 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	102W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-VSON-4
Obudowa / skrzynia	4-PowerTSFN
Bazowy numer produktu	IPL65R

Cena jednostkowa bez VAT:	18,56000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	22,82880 zł

IPL65R130C7AUMA1