Name: IPL65R070C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R070C7AUMA1TR-ND
Price: 38.2038 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPL65R070C7AUMA1
Numer produktu DigiKey	IPL65R070C7AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPL65R070C7AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPL65R070C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPL65R070C7AUMA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 28A (Tc) 169W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VSON-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPL65R070C7AUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 850µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 64 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™ C7	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3020 pF @ 100 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 169W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-VSON-4
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 28A (Tc)	Obudowa / skrzynia 4-PowerTSFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPL65R070
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 70mOhm przy 8,5A, 10V