Name: IPL60R360P6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R360P6SATMA1TR-ND
Price: 10.3812 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPL60R360P6SATMA1
Numer produktu DigiKey	IPL60R360P6SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPL60R360P6SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPL60R360P6SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPL60R360P6SATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 11,3A (Tc) 1,3A (Tc) Montaż powierzchniowy 8-ThinPak (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPL60R360P6SATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 370µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™ P6	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1010 pF @ 100 V
Status części Ostatnio kupiono	Straty mocy (maks.) 1,3A (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-ThinPak (5x6)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 11,3A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPL60R360
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 360mOhm przy 4,5A, 10V