Name: IPL60R180P6AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R180P6AUMA1TR-ND
Price: 18.0687 PLN
Availability: InStock

IPL60R180P6AUMA1
Numer produktu DigiKey	IPL60R180P6AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPL60R180P6AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPL60R180P6AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPL60R180P6AUMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 22,4A (Tc) 176W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VSON-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPL60R180P6AUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 750µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2080 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	176W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-VSON-4
Obudowa / skrzynia	4-PowerTSFN
Bazowy numer produktu	IPL60R

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
3 000	4,62430 zł	13 872,90 zł
6 000	4,57468 zł	27 448,08 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	14,69000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	18,06870 zł

IPL60R180P6AUMA1