Name: IPL60R105P7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R105P7AUMA1TR-ND
Price: 21.0699 PLN
Availability: InStock

IPL60R105P7AUMA1
Numer produktu DigiKey	IPL60R105P7AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPL60R105P7AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPL60R105P7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPL60R105P7AUMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 33A (Tc) 137W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VSON-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPL60R105P7AUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	33A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	105mOhm przy 10,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 530µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1952 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	137W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-VSON-4
Obudowa / skrzynia	4-PowerTSFN
Bazowy numer produktu	IPL60R

Cena jednostkowa bez VAT:	17,13000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	21,06990 zł

IPL60R105P7AUMA1