Name: IPF016N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF016N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 14.6739 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPF016N06NF2SATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPF016N06NF2SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPF016N06NF2SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPF016N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPF016N06NF2SATMA1
Opis	TRENCH 40<-<100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 35A (Ta), 223A (Tc) 3,8W (Ta), 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-U02
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	StrongIRFET™2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35A (Ta), 223A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,7mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,3V przy 129µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	162 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7300 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-U02
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IPF016