Name: IPF009N04NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF009N04NF2SATMA1TR-ND
Price: 19.6062 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPF009N04NF2SATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPF009N04NF2SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPF009N04NF2SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPF009N04NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPF009N04NF2SATMA1
Opis	TRENCH <= 40V
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 49A (Ta), 302A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-U02
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPF009N04NF2SATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,4V przy 249µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 315 nC @ 10 V
Seria StrongIRFET™2	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 15000 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-U02
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 49A (Ta), 302A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IPF009
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,9mOhm przy 100A, 10V