Name: IPDQ60R017S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R017S7XTMA1TR-ND
Price: 61.5861 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPDQ60R017S7XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPDQ60R017S7XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPDQ60R017S7XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPDQ60R017S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPDQ60R017S7XTMA1
Opis	MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPDQ60R017S7XTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ S7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	12V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	17mOhm przy 29A, 12V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 1,89mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	196 nC @ 12 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7370 pF @ 300 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-22-1
Obudowa / skrzynia	Moduł 22-PowerBSOP
Bazowy numer produktu	IPDQ60R