Name: IPDQ60R010S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R010S7XTMA1TR-ND
Price: 90.3927 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPDQ60R010S7XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPDQ60R010S7XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPDQ60R010S7XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPDQ60R010S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPDQ60R010S7XTMA1
Opis	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 50A (Tc) 694W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPDQ60R010S7XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	12V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 50A, 12V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 3,08mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	318 nC @ 12 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11987 pF @ 300 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	694W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-22-1
Obudowa / skrzynia	Moduł 22-PowerBSOP
Bazowy numer produktu	IPDQ60R

Cena jednostkowa bez VAT:	73,49000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	90,39270 zł

IPDQ60R010S7XTMA1