Name: IPDD60R125G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R125G7XTMA1TR-ND
Price: 20.9346 PLN
Availability: InStock

IPDD60R125G7XTMA1
Numer produktu DigiKey	IPDD60R125G7XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPDD60R125G7XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPDD60R125G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPDD60R125G7XTMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-10-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPDD60R125G7XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ G7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	125mOhm przy 6,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 320µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1080 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	120W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-10-1
Obudowa / skrzynia	Moduł 10-PowerSOP
Bazowy numer produktu	IPDD60

Cena jednostkowa bez VAT:	17,02000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	20,93460 zł

IPDD60R125G7XTMA1