Name: IPDD60R037CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND
Price: 32.0538 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPDD60R037CM8XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPDD60R037CM8XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPDD60R037CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPDD60R037CM8XTMA1
Opis	IPDD60R037CM8XTMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 72A (Tj) 416W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-10-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPDD60R037CM8XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	72A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	37mOhm przy 27A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,7V przy 680µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	79 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3458 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	416W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-10-1
Obudowa / skrzynia	Moduł 10-PowerSOP

Cena jednostkowa bez VAT:	26,06000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	32,05380 zł

IPDD60R037CM8XTMA1