Name: IPN60R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R360P7SATMA1TR-ND
Price: 5.8179 PLN
Availability: InStock

IPN60R360P7SATMA1
Numer produktu DigiKey	IPN60R360P7SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPN60R360P7SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPN60R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPN60R360P7SATMA1
Opis	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 9A (Tc) 7W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-SOT223
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPN60R360P7SATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	360mOhm przy 2,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 140µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	555 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	7W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT223
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	IPN60R

Cena jednostkowa bez VAT:	4,73000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,81790 zł

IPN60R360P7SATMA1