Name: IPT60R028G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R028G7XTMA1TR-ND
Price: 75.399 PLN
Availability: InStock

IPT60R028G7XTMA1
Numer produktu DigiKey	IPT60R028G7XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPT60R028G7XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPT60R028G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT60R028G7XTMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 75A (Tc) 391W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT60R028G7XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ G7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	75A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	28mOhm przy 28,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1,44mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	123 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4820 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	391W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-2
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IPT60R028

Cena jednostkowa bez VAT:	61,30000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	75,39900 zł

IPT60R028G7XTMA1