Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 5.6703 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPC50N04S55R8ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPC50N04S55R8ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-33
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPC50N04S55R8ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,8mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,4V przy 13µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1090 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	42W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-33
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	IPC50N