Name: IPC100N04S5L2R6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S5L2R6ATMA1TR-ND
Price: 9.2742 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPC100N04S5L2R6ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPC100N04S5L2R6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPC100N04S5L2R6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPC100N04S5L2R6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPC100N04S5L2R6ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-34
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPC100N04S5L2R6ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 55 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±16V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2925 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 75W (Tc)
Status części Nie do nowych projektów	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-34
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,6mOhm przy 50A, 10V	Bazowy numer produktu IPC100
Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 30µA