Name: IPB95R310PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB95R310PFD7ATMA1TR-ND
Price: 19.3971 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB95R310PFD7ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB95R310PFD7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB95R310PFD7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB95R310PFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB95R310PFD7ATMA1
Opis	LOW POWER_NEW
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 950 V 17,5A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	950 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	310mOhm przy 10,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 520µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1765 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB