IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IPB90N06S404ATMA2 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

onsemi

W magazynie: 16 133

Cena jednostkowa : 17,20203 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 132

Cena jednostkowa : 13,76000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 3 814

Cena jednostkowa : 15,41000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB90N06S404ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPB90N06S404ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB90N06S404ATMA2
Opis	MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB90N06S404ATMA2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	90A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB90N06