IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB80N06S208ATMA2
Numer produktu DigiKey	IPB80N06S208ATMA2-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB80N06S208ATMA2
Opis	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB80N06S208ATMA2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,7mOhm przy 58A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2860 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	215W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB80N

IPB80N06S208ATMA2