Name: IPB65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 11.1684 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB65R660CFDAATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB65R660CFDAATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB65R660CFDAATMA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 6A (Tc) 62,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB65R660CFDAATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	660mOhm przy 3,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	543 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	62,5W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB65R660