Name: IPB65R045C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R045C7ATMA2TR-ND
Price: 47.7855 PLN
Availability: InStock

IPB65R045C7ATMA2
Numer produktu DigiKey	IPB65R045C7ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB65R045C7ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB65R045C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB65R045C7ATMA2
Opis	MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB65R045C7ATMA2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ C7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	46A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 24,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1,25mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4340 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	227W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB65R045

Cena jednostkowa bez VAT:	38,85000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	47,78550 zł

IPB65R045C7ATMA2