IPB60R330P6ATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB60R330P6ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB60R330P6ATMA1-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R330P6ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 12A (Tc) 93W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	330mOhm przy 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 370µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1010 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	93W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB60R

IPB60R330P6ATMA1