Name: IPB60R190C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R190C6ATMA1TR-ND
Price: 16.6542 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB60R190C6ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB60R190C6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB60R190C6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB60R190C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R190C6ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB60R190C6ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ C6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	190mOhm przy 9,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 630µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1400 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	151W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB60R190