Name: IPB60R180P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R180P7ATMA1TR-ND
Price: 13.1364 PLN
Availability: InStock

IPB60R180P7ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB60R180P7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB60R180P7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB60R180P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R180P7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB60R180P7ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 5,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 280µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1081 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	72W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB60R180

Cena jednostkowa bez VAT:	10,68000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	13,13640 zł

IPB60R180P7ATMA1