Name: IPB60R180C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R180C7ATMA1TR-ND
Price: 15.4365 PLN
Availability: OutOfStock

IPB60R180C7ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB60R180C7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB60R180C7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB60R180C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R180C7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB60R180C7ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ C7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	130mOhm przy 5,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 260µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1080 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	68W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-4, D2PAK (3 odpr. + wypust), TO-263AA
Bazowy numer produktu	IPB60R180

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	4,29610 zł	4 296,10 zł
2 000	4,01782 zł	8 035,64 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	12,55000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	15,43650 zł

IPB60R180C7ATMA1