Name: IPB60R070CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R070CFD7ATMA1TR-ND
Price: 29.1879 PLN
Availability: InStock

IPB60R070CFD7ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB60R070CFD7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB60R070CFD7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB60R070CFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R070CFD7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 31A (Tc) 156W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB60R070CFD7ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ CFD7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	70mOhm przy 15,1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 760µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2721 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	156W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB60R070

Cena jednostkowa bez VAT:	23,73000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	29,18790 zł

IPB60R070CFD7ATMA1