IPB240N04S4R9ATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB240N04S4R9ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB240N04S4R9ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB240N04S4R9ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB240N04S4R9ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB240N04S4R9ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 240A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB240N04S4R9ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	240A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,87mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 230µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	290 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	23000 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IPB240

Cena jednostkowa bez VAT:	18,49000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	22,74270 zł

IPB240N04S4R9ATMA1