Name: IPB320N20N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB320N20N3GATMA1TR-ND
Price: 17.22 PLN
Availability: InStock

IPB320N20N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB320N20N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB320N20N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB320N20N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB320N20N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB320N20N3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	32mOhm przy 34A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2350 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	136W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB320

Cena jednostkowa bez VAT:	14,00000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	17,22000 zł

IPB320N20N3GATMA1