Name: IPB200N25N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB200N25N3GATMA1TR-ND
Price: 35.2026 PLN
Availability: InStock

IPB200N25N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB200N25N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB200N25N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB200N25N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB200N25N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB200N25N3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	64A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	20mOhm przy 64A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 270µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7100 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB200

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	11,21403 zł	11 214,03 zł
2 000	11,19342 zł	22 386,84 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	28,62000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	35,20260 zł

IPB200N25N3GATMA1