Name: IPB180N10S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N10S402ATMA1TR-ND
Price: 29.2371 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB180N10S402ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB180N10S402ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB180N10S402ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB180N10S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB180N10S402ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB180N10S402ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 200 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 14600 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 300W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 180A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,5mOhm przy 100A, 10V	Bazowy numer produktu IPB180
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 275µA