Name: IPB180N10S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N10S402ATMA1TR-ND
Price: 27.8718 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB180N10S402ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB180N10S402ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB180N10S402ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB180N10S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB180N10S402ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB180N10S402ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 275µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	14600 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IPB180