Name: IPB160N04S4H1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB160N04S4H1ATMA1TR-ND
Price: 15.498 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB160N04S4H1ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB160N04S4H1ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB160N04S4H1ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB160N04S4H1ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB160N04S4H1ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 160A (Tc) 167W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB160N04S4H1ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 137 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 10920 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 167W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 160A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,6mOhm przy 100A, 10V	Bazowy numer produktu IPB160
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 110µA