IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB144N12N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB144N12N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB144N12N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB144N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB144N12N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB144N12N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	120 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	56A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	14,4mOhm przy 56A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 61µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3220 pF @ 60 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	107W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB144