IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB117N20NFDATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB117N20NFDATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB117N20NFDATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB117N20NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB117N20NFDATMA1
Opis	MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB117N20NFDATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	84A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11,7mOhm przy 84A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 270µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6650 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB117

Cena jednostkowa bez VAT:	25,35000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	31,18050 zł

IPB117N20NFDATMA1