Name: IPB108N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB108N15N3GATMA1TR-ND
Price: 19.3479 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB108N15N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB108N15N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB108N15N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB108N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB108N15N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB108N15N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 160µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 55 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3230 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 214W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 83A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Bazowy numer produktu IPB108
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10,8mOhm przy 83A, 10V