Name: IPB100N12S305ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N12S305ATMA1TR-ND
Price: 26.199 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPB100N12S305ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB100N12S305ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB100N12S305ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB100N12S305ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB100N12S305ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-1
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	120 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,1mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 240µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11570 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-1
Obudowa / skrzynia	TO-263-4, D2PAK (3 odpr. + wypust), TO-263AA
Bazowy numer produktu	IPB100

Cena jednostkowa bez VAT:	21,30000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	26,19900 zł

IPB100N12S305ATMA1