Name: IPB100N04S4H2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND
Price: 12.6936 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB100N04S4H2ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB100N04S4H2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB100N04S4H2ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB100N04S4H2ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,4mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 70µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7180 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	115W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB100