Name: IPB073N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB073N15N5ATMA1TR-ND
Price: 20.5779 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB073N15N5ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB073N15N5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB073N15N5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB073N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB073N15N5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB073N15N5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,6V przy 160µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 61 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4700 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 214W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-3-2
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 114A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 10V	Bazowy numer produktu IPB073
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,3mOhm przy 57A, 10V