


IPB049NE7N3GATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPB049NE7N3GATMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPB049NE7N3GATMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 75 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 4,9mOhm przy 80A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,8V przy 91µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4750 pF @ 37.5 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 150W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO263-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,32000 zł | 13,32 zł |
| 10 | 8,69800 zł | 86,98 zł |
| 100 | 6,07890 zł | 607,89 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,32000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 16,38360 zł |









