Name: IPB048N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5ATMA1TR-ND
Price: 24.4155 PLN
Availability: InStock

IPB048N15N5ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB048N15N5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB048N15N5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB048N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB048N15N5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB048N15N5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,8mOhm przy 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,6V przy 264µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7800 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB048

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	7,86138 zł	7 861,38 zł
2 000	7,45878 zł	14 917,56 zł

IPB048N15N5ATMA1

Cena jednostkowa bez VAT:	19,85000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	24,41550 zł