IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB042N03LGATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB042N03LGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB042N03LGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB042N03LGATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 3
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	70A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,2mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3900 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	79W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB042N

IPB042N03LGATMA1