IPB035N08N3GATMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB035N08N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB035N08N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB035N08N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB035N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB035N08N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB035N08N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 155µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8110 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	214W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB035